对比IGBT与SIC MOSFET对于米勒钳位的需求

发布时间：2019-07-18 浏览次数：

参数和性能	IGBT	SiC MOSFET	Uint	说明
门极负压极限值VGS-	-25	-8	V	1: IGBT门极对驱动负压的忍耐能力明显优于SiC MOSFET 2: SiC MOSFET的实战的驱动负压通常在-2~-4V的水平 3: IGBT的驱动负压通常在-8~-15V，腾挪空间明显多于SiC MOSFET
开启电压Vgs（th）	5.5	1.8~2.7	V	1: SiC MOSFET开启电压低，容易误开通。 2: SiC MOSFET的Vgs(th)随着TJ温度上升而下降，在高温时，更容易误开通。
开关速度	100	200	%	米勒电流Igd=Cgd*（dv/dt），dv/dt越大， Igd越大，越容易误开通。

越好。

驱动IGBT通常不需要使用米勒钳 位功能

驱动SiC MOSFET建议使用米勒钳位功 能

驱动

方案

驱动芯片的米勒钳位脚（Clamp）直接连接到SiC MOSFET的门极，米勒电流Igd（红色线）会流经Cgd→ Rgoff→Q3到负电源轨，形成了一条更低阻抗的门极电荷泄放回路。
驱动芯片内部比较器的翻转电压阈值 2V（相对芯片地），在SiC MOSFET 关断期间，当门极电压低于2V时，比较器输出从低电平翻转到高电平，MOSFET (Q3)被打开, 使得门极以更低阻抗拉到负电源轨，从而保证SiC MOSFET负电压被更有效关断，达到抑制误开通的效果。

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